Версия для печати
Технические характеристики ISL6556BCB-T

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Сфера применения	Controller, Intel VR10X
Напряжение входное	3 V ~ 12 V
Число выходов	4
Напряжение выходное	0.84 V ~ 1.6 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Корпус	28-SOIC W

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Регуляторы напряжения

 » 

Регуляторы напряжения специального применения

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AP9916H			ADVANCED POWER ELECT. CORP
		AP9916H			ADVANCED POWER ELECT. CORP
		AP9916H
		FW82801EB(SL73Z)			INTEL
		FW82801EB(SL73Z)					7 192.00
		FW82801EB(SL73Z)			INTEL
		FW82801EB(SL73Z)			4-7 НЕДЕЛЬ	115
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A		112	24.05
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS	200
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	4-7 НЕДЕЛЬ	211
		К500ЛП216					46.08
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		476	12.88
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	612	13.23
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	340	16.80
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	446	15.75
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"