Версия для печати
Технические характеристики IR4426STR

Корпус	8-SOICN
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение питания	6 V ~ 20 V
Число выходов	2
Число конфигураций	2
Ток пиковое значение	2.3A
Время задержки	85ns
Тип входа	Inverting
Конфигурация	Low-Side
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	DIODES
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	DC COMPONENTS	51 828	3.90
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MCC
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS		10	15.12
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	WTE
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	GALAXY
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	КИТАЙ
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MIC	17 127	2.35
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	KINGTRONICS
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	GALAXY ME	599	4.21
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YJ	336	4.13
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	KLS
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	SUNTAN
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YANGJIE	12 400	2.89
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YANGJIE (YJ)
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MIG
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	SEMTECH
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	OLITECH	1 616	2.46
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	1
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MDD	528	2.46
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	RUME	10 800	1.69
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	TRR ELECTRONICS
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	INTERSIL
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	VISHAY
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.		1 340	39.39
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	Vishay/Siliconix
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	КИТАЙ
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	1
		MAX1472AKA+T		ИМС передатчика АМ диапазона 300...400МГц для передачи данных до 100кбит/с. ФАПЧ с ...	MAXIM
		MAX1472AKA+T		ИМС передатчика АМ диапазона 300...400МГц для передачи данных до 100кбит/с. ФАПЧ с ...			268.00
		MAX1472AKA+T		ИМС передатчика АМ диапазона 300...400МГц для передачи данных до 100кбит/с. ФАПЧ с ...	MAX
		MAX1472AKA+T		ИМС передатчика АМ диапазона 300...400МГц для передачи данных до 100кбит/с. ФАПЧ с ...	Maxim Integrated Products
		MAX1472AKA+T		ИМС передатчика АМ диапазона 300...400МГц для передачи данных до 100кбит/с. ФАПЧ с ...	4-7 НЕДЕЛЬ	536
		ZTA-10MHZ		Кварцевый резонатор 10МГц		1 276	9.35
		ZTA-10MHZ		Кварцевый резонатор 10МГц	0.00
		КП505А		N-mon, 50В, 1Вт		9 358	31.28
		КП505А		N-mon, 50В, 1Вт	МИНСК	12 695	35.70
		КП505А		N-mon, 50В, 1Вт	ЗПП МИНСК
		КП505А		N-mon, 50В, 1Вт	ИНТЕГРАЛ	2 720	89.89
		КП505А		N-mon, 50В, 1Вт	ИНТЕГРАЛ-С
		КП505А		N-mon, 50В, 1Вт	RUS
		КП505А		N-mon, 50В, 1Вт	БРЯНСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"