| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AL-513GD |
|
Светодиод
|
|
|
3.56
|
|
|
|
|
AL-513GD |
|
Светодиод
|
A-BRIGHT
|
|
|
|
 |
 |
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
|
|
217.36
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
WTE
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
MIC
|
95
|
100.04
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
SEP
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
YANGJIE
|
8 880
|
88.20
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
PCF8583P |
|
I2C Clock/Calendar 240B-RAM
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PCF8583P |
|
I2C Clock/Calendar 240B-RAM
|
PHILIPS
|
4
|
230.58
|
|
|
|
|
PCF8583P |
|
I2C Clock/Calendar 240B-RAM
|
|
1
|
120.25
|
|
|
|
|
PCF8583P |
|
I2C Clock/Calendar 240B-RAM
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
PCF8583P |
|
I2C Clock/Calendar 240B-RAM
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
704
|
|
|
|
|
|
PIC12C508A-04I/P |
|
512x12 OTP 6I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC12C508A-04I/P |
|
512x12 OTP 6I/O 4MHz
|
|
40
|
222.00
|
|
|
|
|
PIC12C508A-04I/P |
|
512x12 OTP 6I/O 4MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC12C508A-04I/P |
|
512x12 OTP 6I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC12C508A-04I/P |
|
512x12 OTP 6I/O 4MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
468
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
304
|
351.29
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
141.80
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 257
|
|
|
Версия для печати
