DS1220AB-100IND
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
DS1220AB-100IND |
 |
548.28
|
|
|
DS1220AB-100IND (4-7 НЕДЕЛЬ) |
682 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики DS1220AB-100IND
| Корпус | 24-EDIP |
| Корпус (размер) | 24-DIP (600 mil) Module |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Скорость | 100ns |
| Объем памяти | 16K (2K x 8) |
| Тип памяти | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Формат памяти | RAM |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
DS1220AB (Память)
16k Nonvolatile SRAM
Также в этом файле:
DS1220AB-100-IND
Производитель:
Dallas Semiconductor
|
