Корпус (размер) | 64-TQFP, 64-VQFP |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Тип осцилятора | Internal |
Преобразователи данных | A/D 8x8b, 8x12b; D/A 2x12b |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 3 V ~ 3.6 V |
Размер памяти | 8.25K x 8 |
Тип программируемой памяти | FLASH |
Размер программируемой памяти | 128KB (128K x 8) |
Число вводов/выводов | 32 |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, Temp Sensor, WDT |
Подключения | EBI/EMI, SMBus (2-Wire/I²C), SPI, UART/USART |
Скорость | 100MHz |
Размер ядра | 8-Bit |
Процессор | 8051 |
Серия | C8051F12x |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADM3483ARZ |
|
RS-485 трансивер, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
193
|
295.17
|
|
|
|
ADM3483ARZ |
|
RS-485 трансивер, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
|
|
|
|
|
|
ADM3483ARZ |
|
RS-485 трансивер, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADM3483ARZ |
|
RS-485 трансивер, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADM3483ARZ |
|
RS-485 трансивер, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
6
|
|
|
|
|
ADM3483ARZ |
|
RS-485 трансивер, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
554
|
|
|
|
|
C8051F120-GQR |
|
Микроконтроллер 8ми битный с ядром 8051, 100МГц, ОЗУ 5.26кБ, 2.7 ... 3.6В, I2C, ...
|
SILAB
|
238
|
1 320.38
|
|
|
|
C8051F120-GQR |
|
Микроконтроллер 8ми битный с ядром 8051, 100МГц, ОЗУ 5.26кБ, 2.7 ... 3.6В, I2C, ...
|
SLAB
|
|
|
|
|
|
C8051F120-GQR |
|
Микроконтроллер 8ми битный с ядром 8051, 100МГц, ОЗУ 5.26кБ, 2.7 ... 3.6В, I2C, ...
|
SILICON LABS
|
|
|
|
|
|
C8051F120-GQR |
|
Микроконтроллер 8ми битный с ядром 8051, 100МГц, ОЗУ 5.26кБ, 2.7 ... 3.6В, I2C, ...
|
SILICON LABS
|
|
|
|
|
|
C8051F120-GQR |
|
Микроконтроллер 8ми битный с ядром 8051, 100МГц, ОЗУ 5.26кБ, 2.7 ... 3.6В, I2C, ...
|
|
80
|
1 171.67
|
|
|
|
C8051F120-GQR |
|
Микроконтроллер 8ми битный с ядром 8051, 100МГц, ОЗУ 5.26кБ, 2.7 ... 3.6В, I2C, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 191
|
|
|
|
|
CRCW251215R0FKTG |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
CRCW251215R0FKTG |
|
|
VISHAY
|
4 000
|
|
|
|
|
T491A106M016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 16 В
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
T491A106M016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 16 В
|
|
|
15.80
|
|
|
|
T491A106M016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 16 В
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
T491A106M016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 16 В
|
KEM
|
|
|
|
|
|
T491D107K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
KEMET
|
8 167
|
55.10
|
|
|
|
T491D107K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
|
22
|
36.30
|
|
|
|
T491D107K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
T491D107K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
KEMET
|
856
|
|
|
|
|
T491D107K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
KEM
|
|
|
|
|
|
T491D107K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
KEMET/YAGEO
|
|
|
|