BA6137
Измер.уровня светодиодн.логарфм.масшт. 5точек Uпит=6В
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Аналоги:
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HEF4049BP |
|
ИМС цифровая | NXP |
|
|
|||
| HEF4049BP |
|
ИМС цифровая | 18 | 31.45 | ||||
| HEF4049BP |
|
ИМС цифровая | PHILIPS SEMIC |
|
|
|||
| HEF4049BP |
|
ИМС цифровая | NEX |
|
|
|||
| HEF4049BP |
|
ИМС цифровая | 4-7 НЕДЕЛЬ | 670 |
|
|||
 |
 |
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА |
|
4.80 | ||
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА | ЭЛЕКС |
|
|
|
| К504НТ1А |
|
288.00 | ||||||
| К504НТ1А | ТОНДИ |
|
|
|||||
 |
|
КВ121А |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроенные, для применения в ... | 800 | 9.07 | ||
|
|
|
КВ121А |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроенные, для применения в ... | ХЕРСОН |
|
|
|
 |
|
КТ610А |
|
Транзистор структуры NPN усилительный | 2 | 555.00 | ||
|
|
|
КТ610А |
|
Транзистор структуры NPN усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ610А |
|
Транзистор структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
|
|
|
КТ610А |
|
Транзистор структуры NPN усилительный | НУКЛОНАС |
|
|
