AT45DB041D-SU
Память DataFlash (4 MBit, SPI-compatible interface, 20 MHz max clock, 264 bytes/page, 2x264-byte SRAM data buffers, Vcc=2.7-3.6V, -40 to +85C), Pb-free.
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | FLASH |
| Тип памяти | DataFLASH |
| Объем памяти | 4M (2048 pages x 264 bytes) |
| Скорость | 66MHz |
| Интерфейс подключения | SPI, RapidS |
| Напряжение питания | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Корпус | 8-SOIC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
70G-IDC5 |
|
Grayhill Inc |
|
|
||
|
|
|
70G-IDC5 |
|
|
|
|||
| AD9446BSVZ-100 | ANALOG DEVICES | 2 |
|
|||||
| AD9446BSVZ-100 | Analog Devices Inc |
|
|
|||||
| AD9446BSVZ-100 |
|
|
||||||
| AD9446BSVZ-100 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 375 |
|
|||||
| HY62256ALT1-70 | HYUNDAI |
|
|
|||||
| HY62256ALT1-70 | HYUNDAI |
|
|
|||||
| HY62256ALT1-70 |
|
|
||||||
| HY62256ALT1-70 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 679 |
|
|||||
 |
|
IRFBE30PBF |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, Vси = 800В, Rоткр = 3 Ом, Ic = 4.1A, 125Вт | VISHAY | 800 | 103.62 | |
|
|
|
IRFBE30PBF |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, Vси = 800В, Rоткр = 3 Ом, Ic = 4.1A, 125Вт | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFBE30PBF |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, Vси = 800В, Rоткр = 3 Ом, Ic = 4.1A, 125Вт | VISHAY/IR |
|
|
|
|
|
|
IRFBE30PBF |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, Vси = 800В, Rоткр = 3 Ом, Ic = 4.1A, 125Вт |
|
|
||
|
|
|
IRFBE30PBF |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, Vси = 800В, Rоткр = 3 Ом, Ic = 4.1A, 125Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
 |
|
SV03HC472MAR |
|
AVX Corporation |
|
|
||
|
|
|
SV03HC472MAR |
|
|
|
