| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJI ELECTRIC
|
80
|
253.76
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJITSU
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
|
1
|
277.50
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJ
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJI
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
INCHANGE
|
56
|
178.42
|
|
|
|
CM453232-1R0KL |
|
ЧИП-индуктивность 1,0мкГн 1812
|
|
|
40.00
|
|
|
|
CM453232-1R0KL |
|
ЧИП-индуктивность 1,0мкГн 1812
|
BOURNS
|
7 148
|
13.61
|
|
|
|
CM453232-1R0KL |
|
ЧИП-индуктивность 1,0мкГн 1812
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
RLB0914-102KL |
|
Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом
|
BOURNS
|
8 000
|
28.93
|
|
|
|
RLB0914-102KL |
|
Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом
|
|
|
57.60
|
|
|
|
SDR0906-221KL |
|
Индуктивность 220мкГн SMD
|
|
|
89.92
|
|
|
|
SDR0906-221KL |
|
Индуктивность 220мкГн SMD
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
SF139E-142°C10A/250V ТЕРМОПРЕДОХРАНИТЕЛЬ |
|
|
NEK
|
|
|
|