| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJI ELECTRIC
|
80
|
253.76
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJITSU
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
|
1
|
279.00
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJ
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJI
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
INCHANGE
|
19
|
178.42
|
|
|
|
CM453232-1R0KL |
|
ЧИП-индуктивность 1,0мкГн 1812
|
|
|
40.00
|
|
|
|
CM453232-1R0KL |
|
ЧИП-индуктивность 1,0мкГн 1812
|
BOURNS
|
7 260
|
16.10
|
|
|
|
CM453232-1R0KL |
|
ЧИП-индуктивность 1,0мкГн 1812
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
RLB0914-102KL |
|
Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом
|
BOURNS
|
800
|
26.86
|
|
|
|
RLB0914-102KL |
|
Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом
|
|
158
|
18.60
|
|
|
|
RLB0914-102KL |
|
Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом
|
КИТАЙ
|
8
|
15.01
|
|
|
|
|
SF139E-142°C10A/250V ТЕРМОПРЕДОХРАНИТЕЛЬ |
|
|
NEK
|
|
|
|
|
|
ПЛАТА МАКЕТНАЯ MCU |
|
Плата макетная позволит в сжатые сроки собрать макет устройства, в котором ...
|
|
|
1 084.00
|
|
|
|
ПЛАТА МАКЕТНАЯ MCU |
|
Плата макетная позволит в сжатые сроки собрать макет устройства, в котором ...
|
КОМ
|
|
|
|