|   | 
 | 
 Версия для печати
Версия для печати
                        
                        
                    
                                | Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant | 
| Серия | XFET® | 
| Reference Type | Series, Precision | 
| Напряжение выходное | 5V | 
| Допустимые отклонения емкости | ±0.04% | 
| Температурный коэфициент | 3ppm/°C | 
| Напряжение входное | 5.5 V ~ 18 V | 
| Количество каналов | 1 | 
| Ток в рабочей точке(ВАХ) | 3.75mA | 
| Ток выходной | 10mA | 
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C | 
| Тип монтажа | Поверхностный | 
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 
| Корпус | 8-SOIC | 
| Tolerance | ±0.04% | 
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ADT7310TRZ | ANALOG DEVICES |   |   | |||||
| ADT7310TRZ | 240 | 679.40 | ||||||
| ADT7310TRZ | Analog Devices Inc |   |   | |||||
| ADT7310TRZ | ANALOG |   |   | |||||
| ADT7310TRZ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 639 |   | |||||
|   | BL03RN2R1M1B |   | индуктивность для подавления ЭМП | MURATA |   |   | ||
|   | BL03RN2R1M1B |   | индуктивность для подавления ЭМП |   | 75.60 | |||
|   | BL03RN2R1M1B |   | индуктивность для подавления ЭМП | MURATA | 2 560 |   | ||
|   | BL03RN2R1M1B |   | индуктивность для подавления ЭМП | MUR |   |   | ||
|   | BL03RN2R1M1B |   | индуктивность для подавления ЭМП | Murata Electronics North America |   |   | ||
| CFA1-50B | BM |   |   | |||||
| M41T00M6 | ST MICROELECTRONICS |   |   | |||||
| M41T00M6 | ST MICROELECTRONICS SEMI |   |   | |||||
| SR2.8.TC | SEMTECH |   |   | |||||
| SR2.8.TC | SEMTECH | 152 |   | |||||
| SR2.8.TC | SMTC |   |   |