|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
ONS
|
168 787
|
3.19
|
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
MPN
|
|
|
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
|
94 876
|
1.98
|
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
LRC
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
ITL/HAR
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
INTERSIL
|
8
|
98.28
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
ITL
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
|
1
|
166.50
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
RENESAS
|
341
|
114.85
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
1
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
146
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
|
9
|
54.18
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
332
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
MCP6022-E/SN |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP6022-E/SN |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP6022-E/SN |
|
|
|
|
|
|
|
|
MCP6022-E/SN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
748
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
971
|
264.99
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
|
1 104
|
169.65
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
516
|
|
|