| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
США
|
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
|
|
919.32
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
20
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
11.83
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
202 694
|
2.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
61 723
|
2.99
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
7 407
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.49
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 468 568
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
54 855
|
1.32
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.57
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 863
|
2.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 374 515
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
186 488
|
2.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
94 515
|
3.53
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
220 800
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
12
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 686
|
1.49
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
60 927
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
591 116
|
1.06
|
|
|
|
ECAP 2200/25V 1320 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 16В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/25V 1320 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 16В, 105С
|
|
|
44.00
|
|
|
|
ECAP 2200/25V 1320 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 16В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
DC COMPONENTS
|
133 850
|
3.46
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
|
4 006
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
TWN
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
YJ
|
587 620
|
1.78
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KINGTRONICS
|
24
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
HOTTECH
|
354 432
|
1.61
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KLS
|
13
|
1.31
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MIC
|
17
|
1.44
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
YANGJIE
|
12 000
|
1.02
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
SUNTAN
|
96
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
WUXI XUYANG
|
1 596
|
6.04
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
PANJIT
|
7 472
|
1.19
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MICRO COMMERCIA
|
7 520
|
5.17
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MDD
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
1
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
SLKOR
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KEENSIDE
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
40
|
1.23
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
ASEMI
|
50 573
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KEEN SIDE
|
86 160
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
30
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
8940
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
8340
|
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
NUMONYX
|
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
|
|
273.80
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC
|
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
MICRON
|
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
MICRON TECHNOLOGY,INC
|
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|