| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 2V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 350mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 40 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Tolerance | ±5% |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
США
|
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
|
|
919.32
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
20
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
428
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
6
|
5.90
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
278 414
|
1.27
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
56 845
|
1.11
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
52 951
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
792 049
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.15
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
185 422
|
1.13
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.27
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 369
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 897 078
|
0.90
>500 шт. 0.30
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
616 269
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
159 756
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
300 000
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
582
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
10 784
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
184 012
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
342 755
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
|
13 602
|
1.06
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
DIOTEC
|
7 519
|
1.71
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
HOTTECH
|
4 240
|
1.03
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
DIODES
|
116
|
2.62
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
NEXPERIA
|
2 976
|
1.56
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
YJ
|
56 292
|
1.01
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
2300
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V0 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.0V, Izt=5mA
|
XXW
|
4 580
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
ECAP 2200/25V 1320 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 16В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/25V 1320 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 16В, 105С
|
|
|
44.00
|
|
|
|
ECAP 2200/25V 1320 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 16В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
NUMONYX
|
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
|
|
273.80
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC
|
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
MICRON
|
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
MICRON TECHNOLOGY,INC
|
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
524
|
|
|