Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 2V |
Допустимые отклонения емкости | ±5% |
Power - Max | 350mW |
Impedance (Max) (Zzt) | 40 Ohm |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Tolerance | ±5% |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADC1173CIMTC |
|
АЦП 8- бит 15MSPS Uпит=3.3V
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADC1173CIMTC |
|
АЦП 8- бит 15MSPS Uпит=3.3V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
ADC1173CIMTC |
|
АЦП 8- бит 15MSPS Uпит=3.3V
|
|
|
249.16
|
|
|
|
ADC1173CIMTC |
|
АЦП 8- бит 15MSPS Uпит=3.3V
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
649
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
364 366
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
127 429
|
2.02
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 474
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
767 576
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
356 828
|
1.14
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.25
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 538
|
1.55
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.11
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 641 724
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
265 825
|
1.08
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
826 704
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
22 944
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
|
42 264
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
GALAXY ME
|
827
|
1.52
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
HOTTECH
|
54 177
|
1.74
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
YJ
|
44 436
|
1.31
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
1
|
|
|
|
|
|
ECAP 4700/35V 1835 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4700 мкФ 35 В
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 4700/35V 1835 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4700 мкФ 35 В
|
JAM
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
|
7 558
|
9.98
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
17 272
|
13.43
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS
|
8 000
|
16.41
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
128
|
|
|