| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2Д212А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
|
2 452
|
120.25
|
|
|
|
|
2Д212А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
ФОТОН
|
772
|
446.20
|
|
|
|
|
2Д212А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСК
|
145
|
210.00
|
|
|
|
|
2Д212А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
2Д212А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
ОРБИТА
|
14
|
249.86
|
|
|
|
|
2Д212А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
ОКБ ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
2РМГ42Б50Ш2Е2 |
|
|
|
36
|
2 520.00
|
|
|
|
|
48КОТК |
|
|
|
119
|
827.65
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
1
|
1.40
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
3 614
|
2.00
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
11 847
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FUXIN
|
164 908
|
2.34
|
|
|
|
|
РС-10ТВ РОЗЕТКА С/К |
|
Разъемы РСГАТВ, РСГБАТВ, РСГТВ, РСГБТВ, РСАТВ, РСБАТВ, РСТВ, РСБТВ используются в ...
|
|
37
|
|
|
Версия для печати
