FDN337N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
FDN337N	8 400	3.55
FDN337N (FAIRCHILD.)	1 169	3-4 недели Цена по запросу
FDN337N (FUXIN)	15	6.06
FDN337N (YOUTAI)	9 461	1.78
FDN337N (FUXINSEMI)	201	3.69

Версия для печати

Технические характеристики FDN337N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	300pF @ 10V
Power - Max	460mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	3-SSOT
Product Change Notification	Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDN337N (MOSFET)

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDN337N datasheet
276.3 Кб