Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	PHILIPS
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	DC COMPONENTS
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	DIOTEC	12 656	2.52
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	NXP
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	ON SEMICONDUCTOR	1 600
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	OTHER	4
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...		26 235	1.13
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	KEC
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	КИТАЙ
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	CJ
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	LGE	1 508	1.90
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	HOTTECH	109 806	2.07
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	KLS
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	SEMTECH
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	KLS EL
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	NEX-NXP	1 600	10.33
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	CHINA
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	ASEMI
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	1
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	KOME
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	JSMICRO	3 024	1.81
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления			4.92
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	7 154	2.27
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	75.60
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...		1	94.50
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	DMS
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	МЕКСИКА
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INFINEON
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	24
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	1
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	MINOS	355	24.21
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	EVVO	630	16.88
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс	ON SEMICONDUCTOR
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс	ST MICROELECTRONICS
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс	FAIR
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс	FAIRCHILD
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс	FAIRCHILD
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс	ON SEMICONDUCTOR
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс	STMICROELECTRONICS
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс	Fairchild Semiconductor
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс	КИТАЙ
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс	TEXAS INSTRUMENTS
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс	SIGNETICS
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс		24	24.84
		LM311N		Компаратор одноканальный +/-18В, 200нс	4-7 НЕДЕЛЬ	488
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	3 890	11.59
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"