| Мощность рассеяния,Вт | 1 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 34 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 36 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 38 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 50 |
| при токе I ст,мА | 5 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.1 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 1 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 23 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd-3a |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DC COMPONENTS
|
11 188
|
4.16
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
RF ELECT/RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
RF ELECT./RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
КИТАЙ
|
820
|
9.45
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YJ
|
1 092
|
5.81
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
|
8 000
|
4.21
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
KINGTRONICS
|
44
|
5.01
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GOOD-ARK
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MIC
|
23
|
6.02
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
KEEN SIDE
|
1 212
|
2.92
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
CHANGJIANG ELECTRONIC TECH
|
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
DC COMPONENTS
|
3 533
|
1.74
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
|
11 200
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
CHANGJIANG ELECTRONIC TECH CO
|
1 220
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
INFINEON
|
483
|
73.50
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
|
|
161.64
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
183
|
|
|
|
|
Д818Д |
|
|
|
1 272
|
18.90
|
|
|
|
Д818Д |
|
|
НЗПП
|
144
|
57.86
|
|
|
|
Д818Д |
|
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
Д818Д |
|
|
НОВОВСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
Д818Д |
|
|
НОВОСИБИРСК
|
4 059
|
21.00
|
|
|
|
Д818Д |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КУ101Е |
|
Тиристоры кремниевые p-типа, триодные, незапираемые 150В
|
|
83
|
30.24
|
|
|
|
КУ101Е |
|
Тиристоры кремниевые p-типа, триодные, незапираемые 150В
|
САРАНСК
|
|
|
|