| Мощность рассеяния,Вт | 0.125 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 9 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 10 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 11 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 40 |
| при токе I ст,мА | 4 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.09 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 0.5 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 13 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd 2 |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
358 823
|
1.84
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
90 056
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
70
|
1.82
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 171
|
1.48
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
569 202
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
1 024
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
14 411
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
132 922
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
470 324
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
108 000
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSMICRO
|
196 835
|
0.93
>500 шт. 0.31
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
XXW
|
110 304
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KEEN SIDE
|
37 770
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
|
80
|
196.56
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
ИЗОТРОН
|
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
ИЗОТРОН, ЛИДА
|
|
|
|
|
|
|
КМ5Б-М1500-2200 ПФ-10% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
|
|
14.16
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
КРЕМНИЙ
|
1 120
|
28.35
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
БРЯНСК
|
1 435
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
СП3-38В-0,125-22 КОМ-20% |
|
|
|
25 807
|
3.70
|
|
Версия для печати
