|
|
Версия для печати
| Мощность рассеяния,Вт | 0.15 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 7 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 7.5 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 8 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 16 |
| при токе I ст,мА | 5 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.04 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 3 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 18 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd 2 |
| Производитель | Россия |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBSR16-G | HSUAN MAO |
|
|
|||||
| PBSR16-G |
|
57.20 | ||||||
| SQP 3W 0.20 5% |
|
|
||||||
| SQP 3W 0.20 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| SQP 3W 0.20 5% | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| SQP 3W 0.20 5% | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
|
|
КС407Б |
|
стекло | 6 191 | 3.15 | |||
|
|
|
КТ 3107 Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ... | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ 817 Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт | RUS |
|
|