Si2304DDS

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI2304DDS	9 600	4.38

Версия для печати

Технические характеристики Si2304DDS

Gate Charge (Qg) @ Vgs	6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.2A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	235pF @ 15V
Power - Max	1.7W
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3 (TO-236)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.