BSS159N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSS159N	9 440	4.22
BSS159N (VBSEMI)	5 252	1.82

Версия для печати

Технические характеристики BSS159N

Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 160mA, 10V
FET Feature	Depletion Mode
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	230mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 26µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.9nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	44pF @ 25V
Power - Max	360mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	PG-SOT23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.