IRLR120NTR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLR120NTR (YOUTAI)	1 799	14.05

Версия для печати

Технические характеристики IRLR120NTR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	185 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	440pF @ 25V
Power - Max	48W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BS4-1		КИТАЙ	26	7.23
BS4-1		KLS	31 984	2.52
BS4-1
MC33064D-5G	Микросхема монитор падения напряжения SO8	ON SEMICONDUCTOR
MC33064D-5G	Микросхема монитор падения напряжения SO8			41.44
MC33064D-5G	Микросхема монитор падения напряжения SO8	ONS
MC33064D-5G	Микросхема монитор падения напряжения SO8	КИТАЙ
MC33064D-5G	Микросхема монитор падения напряжения SO8	ON SEMIC
MC33064D-5G	Микросхема монитор падения напряжения SO8	ONSEMICONDUCTOR
MC33064D-5G	Микросхема монитор падения напряжения SO8	4-7 НЕДЕЛЬ	517
К293ЛП7Т			60
К293ЛП7Т			60
К293ЛП7Т		ПРОТОН
КТ3129Г9			3 071	2.76
КТ3129Г9		АЛЕКСАНДРОВ
КТ3129Г9		ДАЛЕКС	3	22.68
КТ3129Г9		ЭЛЕКС
КТ3129Г9		RUS
КТ3129Г9		МИНСК
КТ3129Г9		ИНТЕГРАЛ
КФ1158ЕН3.3В				97.92
КФ1158ЕН3.3В		СИТ
КФ1158ЕН3.3В		НТЦ СИТ
КФ1158ЕН3.3В		БРЯНСК	132	110.24
КФ1158ЕН3.3В		КРЕМНИЙ	80	85.89
КФ1158ЕН3.3В		171