IRFH3707

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFH3707 (EVVO)	3 121	11.02

Версия для печати

Технические характеристики IRFH3707

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4 mOhm @ 12A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	755pF @ 15V
Power - Max	2.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-PQFN, 8-PowerQFN
Корпус	PQFN (3x3) Single Die

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.