IRF9333
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.4 mOhm @ 9.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1110pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
3314G-1-203E |
|
Подстроечный резистор 20 кОм | BOURNS | 8 273 | 49.01 | ||
|
|
3314G-1-203E |
|
Подстроечный резистор 20 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-203E |
|
Подстроечный резистор 20 кОм |
|
|
|||
|
|
3314G-1-203E |
|
Подстроечный резистор 20 кОм | ВОURNS |
|
|
||
| B82477P4683M000 | EPCOS |
|
|
|||||
| B82477P4683M000 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| B82477P4683M000 |
|
|
||||||
| B82477P4683M000 | TDK-EPC | 260 | 97.26 | |||||
 |
 |
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | BOURNS | 12 150 | 14.16 | |
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 |
|
19.84 | ||
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | ВОURNS |
|
|
|
| GRM219F51H105ZA01D |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В | MURATA |
|
|
|||
| GRM219F51H105ZA01D |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В | MURATA |
|
|
|||
| GRM219F51H105ZA01D |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В | Murata Electronics North America |
|
|
|||
| GRM219F51H105ZA01D |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В | MUR |
|
|
|||
| GRM219F51H105ZA01D |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В |
|
|
||||
| LM431ACM3X | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM431ACM3X | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
