Версия для печати
Технические характеристики IRFZ44NS

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.5 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	49A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1470pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

IRFZ44NS N-channel Enhancement Mode Trenchmos Transistor Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com IRFZ44NS datasheet 73.7Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		L-59EGC		Единичный светодиод 5мм, красный/зеленый	KB
		L-59EGC		Единичный светодиод 5мм, красный/зеленый	KINGBRIGHT
		L-59EGC		Единичный светодиод 5мм, красный/зеленый	KGB	9 460	15.15
		L-59EGC		Единичный светодиод 5мм, красный/зеленый			13.16
		L-59EGC		Единичный светодиод 5мм, красный/зеленый	КИТАЙ
		LM340LAZ-15			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM340LAZ-15					58.00
		LM340LAZ-15			NSC
		LM340LAZ-15			TEXAS INSTRUMENTS
		LM340LAZ-15			4-7 НЕДЕЛЬ	106
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	FAIR
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%		7	102.06
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	FAIRCHILD
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	FAIRCHILD
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	Fairchild Semiconductor
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	FSC
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	ONS
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	ONS-FAIR
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	ISC	70	51.71
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	HGSEMI	509	19.36
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	4-7 НЕДЕЛЬ	127
		MC34119D		Маломощный УНЧ	ON SEMICONDUCTOR
		MC34119D		Маломощный УНЧ	UTC
		MC34119D		Маломощный УНЧ	MITSUBISHI
		MC34119D		Маломощный УНЧ	ST MICROELECTRONICS
		MC34119D		Маломощный УНЧ	UTRON
		MC34119D		Маломощный УНЧ			48.60
		MC34119D		Маломощный УНЧ	ИНТЕГРАЛ
		MC34119D		Маломощный УНЧ	MOT
		MC34119D		Маломощный УНЧ	4-7 НЕДЕЛЬ	752
		OP27GSZ		Операционный усилитель бипл., 8 МГц, 2,8 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3,2 нВ/VГц, ...	TEXAS INSTRUMENTS
		OP27GSZ		Операционный усилитель бипл., 8 МГц, 2,8 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3,2 нВ/VГц, ...	ANALOG DEVICES	8	55.06
		OP27GSZ		Операционный усилитель бипл., 8 МГц, 2,8 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3,2 нВ/VГц, ...	ANALOG
		OP27GSZ		Операционный усилитель бипл., 8 МГц, 2,8 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3,2 нВ/VГц, ...			197.36
		OP27GSZ		Операционный усилитель бипл., 8 МГц, 2,8 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3,2 нВ/VГц, ...	ANALOG DEVICES
		OP27GSZ		Операционный усилитель бипл., 8 МГц, 2,8 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3,2 нВ/VГц, ...	Analog Devices Inc
		OP27GSZ		Операционный усилитель бипл., 8 МГц, 2,8 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3,2 нВ/VГц, ...	США
		OP27GSZ		Операционный усилитель бипл., 8 МГц, 2,8 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3,2 нВ/VГц, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		OP27GSZ		Операционный усилитель бипл., 8 МГц, 2,8 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3,2 нВ/VГц, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	231

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"