Current - Collector (Ic) (Max) | 16A |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 3.2A, 16A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 8A, 4V |
Power - Max | 150W |
Тип монтажа | Шасси |
Корпус (размер) | TO-204AA, TO-3 (2 Leads + case) |
Корпус | TO-3 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
|
|
43.72
|
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
171
|
|
|
|
|
ECAP 47/63V 0611 SK |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 63 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTRONICS
|
20 876
|
32.74
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
TOBE
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
|
1 960
|
21.42
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
Microsemi Commercial Components Group
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ZH
|
6 800
|
15.67
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
LGE
|
223
|
24.57
|
|
|
|
TL072CD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL072CD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
34.02
|
|
|
|
TL072CD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
|
|
21.44
|
|
|
|
TL072CD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL072CD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
28
|
|
|
|
|
TL072CD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TL072CD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL072CD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
585
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
10 083
|
11.04
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 628
|
13.44
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
16.63
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
3 520
|
26.86
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|