IRFR5505

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRFR5505	4 352	23.12
IRFR5505 (TECH PUB)	44	22.10
IRFR5505 (EVVO)	3 468	29.24
IRFR5505 (TECH PUBLIC)	8	27.81

Версия для печати

Технические характеристики IRFR5505

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 9.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	650pF @ 25V
Power - Max	57W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR5505 (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=-55V, Rds (on) =0.11ohm, Id=-18A)

Также в этом файле: IRFR5505

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFR5505 datasheet
109.78Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2РМДТ27КПН19Ш5А1В			4	6 138.00
2РМДТ27КПН19Ш5А1В		ЭЛЕКОН
2РМДТ27КПН19Ш5А1В		1
2РМДТ33Б32Ш5А1В
2РМДТ33Б32Ш5А1В
2РМДТ33Б32Ш5А1В		ЭЛЕКОН	26	15 850.24
2РМТ14Б4Ш1А1В				606.04
2РМТ14Б4Ш1А1В		ИСЕТЬ
2РМТ14Б4Ш1А1В		ЭЛЕКОН	17	5 434.37
2РМТ14Б4Ш1А1В		ЛТАВА
2РМТ22КПН4Ш3А1В	Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото
2РМТ22КПН4Ш3А1В	Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото
2РМТ22КПН4Ш3А1В	Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото	ЭЛЕКОН	40	6 550.91
2С212Ж СТЕКЛО