PVT322AS
Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах, двухполюсное, нормально разомкнутое, 250 в, 170ма ac/dc
|
Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах, двухполюсное, нормально разомкнутое. |
Версия для печати
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Напряжение нагрузки | 0 ~ 250 V |
| Напряжение входное | 1.2VDC |
| Load Current | 170mA |
| Сопротивление (On-State) | 8 Ohm |
| Тип выхода | AC, DC |
| Каналы | DPST (2 Form A) |
| Серия | PVT, HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Termination Style | Gull Wing |
| Корпус (размер) | 8-SMD (300 mil) |
| Корпус | 8-SMT |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PVT322A (Дискретные сигналы) Microelectronic Power IC HEXFET Power MOSFET Photovoltaic Relay Dual Pole, Normally Open 0-250V, 170mA AC / DC Также в этом файле: PVT322AS, PVT322AS-T
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206-LQH31H145NHK | MURATA |
|
|
|||||
 |
 |
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | MURATA |
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. |
|
16.60 | ||
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | MURATA |
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | MUR |
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | Murata Electronics North America |
|
|
|
 |
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA | 1 746 | 10.60 | |
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) |
|
|
||
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA | 3 840 |
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | Murata Electronics North America |
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MUR | 16 349 | 6.66 | |
| WF-06M | 52 | 3.64 |
