|
|
Версия для печати
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Current - DC Forward (If) | 50mA |
| Тип входа | DC |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Количество каналов | 4 |
| Напряжение выходное | 80V |
| Current Transfer Ratio (Min) | 100% @ 5mA |
| Корпус (размер) | 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Voltage - Isolation | 2500Vrms |
| Current Transfer Ratio (Max) | 600% @ 5mA |
| Ток выходной / канал | 50mA |
| Тип выхода | Transistor |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
112J-TDAR-R |
|
Слот - держатель карты SD, SMD, с выталкивателем | ATTEND |
|
|
|
|
|
|
112J-TDAR-R |
|
Слот - держатель карты SD, SMD, с выталкивателем |
|
|
||
| LQH55DN2R2M, 2.2 МКГН, 2220, 20% | MURATA |
|
|
|||||
|
|
|
MC74HC589ADG |
|
ON Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
MC74HC589ADG |
|
|
|
|||
|
|
|
MC74HC589ADG |
|
ONS |
|
|
||
|
|
|
MC74HC589ADG |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 383 |
|
||
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН |
|
152.00 | |||
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН | ONS |
|
|
||
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН | ON SEMICONDUCTO |
|
|
||
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН | 4-7 НЕДЕЛЬ | 200 |
|
||
|
|
|
TXS0108EPWR |
|
Texas Instruments | 2 | 14.11 | ||
|
|
|
TXS0108EPWR |
|
3 200 | 24.19 | |||
|
|
|
TXS0108EPWR |
|
TEXAS INSTRUMENTS | 436 |
|
||
|
|
|
TXS0108EPWR |
|
TEXAS |
|
|
||
|
|
|
TXS0108EPWR |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 646 |
|