Версия для печати
Технические характеристики IRF7204

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 5.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	860pF @ 10V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

IRF7204 (P-канальные транзисторные модули) Power MOSFET Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF7204 datasheet 146.87Kb 9стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC945P		Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...		83	5.55
		2SC945P		Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...	KEC
		2SC945P		Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...	NEC
		2SC945P		Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...	UTC
		2SC945P		Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...	HGF
		BC857BLT1G		Транзистор p-n-p 45В 0.1A 0.2Вт рулон 3k	ON SEMICONDUCTOR
		BC857BLT1G		Транзистор p-n-p 45В 0.1A 0.2Вт рулон 3k	ONS	1 728	2.10
		BC857BLT1G		Транзистор p-n-p 45В 0.1A 0.2Вт рулон 3k	ON SEMICONDUCTOR	7 964
		BC857BLT1G		Транзистор p-n-p 45В 0.1A 0.2Вт рулон 3k		2 304	5.55
		BC857BLT1G		Транзистор p-n-p 45В 0.1A 0.2Вт рулон 3k	PHOENIX
		BC857BLT1G		Транзистор p-n-p 45В 0.1A 0.2Вт рулон 3k	ON SEMICONDUCTO
		BC857BLT1G		Транзистор p-n-p 45В 0.1A 0.2Вт рулон 3k	LRC
		BC857BLT1G		Транзистор p-n-p 45В 0.1A 0.2Вт рулон 3k	SEMTECH
		BSN20		N-channel enhancement mode field-effect transistor	PHILIPS
		BSN20		N-channel enhancement mode field-effect transistor	NXP
		BSN20		N-channel enhancement mode field-effect transistor	NXP
		BSN20		N-channel enhancement mode field-effect transistor	PHILIPS
		BSN20		N-channel enhancement mode field-effect transistor		6 800	1.75
		BSN20		N-channel enhancement mode field-effect transistor	DIODES
		MC34063ADR2G		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	ON SEMICONDUCTOR	80	29.40
		MC34063ADR2G		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C		1 679	31.45
		MC34063ADR2G		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	ONS
		MC34063ADR2G		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	ON SEMICONDUCTOR
		MC34063ADR2G		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	ONSEMICONDUCTOR
		MC34063ADR2G		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	FSC
		MC34063ADR2G		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	0.00
		MC34063ADR2G		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	4-7 НЕДЕЛЬ	61
		К157УД2		Малошумящий двухканальный операционный усилитель средней точности, защита от КЗ на ...		392	388.50
		К157УД2		Малошумящий двухканальный операционный усилитель средней точности, защита от КЗ на ...	ПОЛЯРОН	380	388.00
		К157УД2		Малошумящий двухканальный операционный усилитель средней точности, защита от КЗ на ...	АЛЬФА РИГА
		К157УД2		Малошумящий двухканальный операционный усилитель средней точности, защита от КЗ на ...	69

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"