BSS139

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSS139		35.92

Версия для печати

Технические характеристики BSS139

Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 Ohm @ 0.1mA, 10V
FET Feature	Depletion Mode
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 56µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	3.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	76pF @ 25V
Power - Max	360mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	PG-SOT23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSS139

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BSS139 datasheet
332.87Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
B81123C1102M	Пленочный конденсатор 1000 пФ	EPCOS
B81123C1102M	Пленочный конденсатор 1000 пФ			145.08
B81123C1102M	Пленочный конденсатор 1000 пФ	EPCOS Inc
B81123C1102M	Пленочный конденсатор 1000 пФ	ИНДИЯ
B81123C1102M	Пленочный конденсатор 1000 пФ	ИНДОНЕЗИЯ
B81123C1102M	Пленочный конденсатор 1000 пФ	EPCS
B81123C1102M	Пленочный конденсатор 1000 пФ	TDK EPCOS	2 320	18.60
B81123C1102M	Пленочный конденсатор 1000 пФ	TDK
B81123C1102M	Пленочный конденсатор 1000 пФ	TDK-EPC
B81123C1332M		EPCOS Inc
B81123C1332M		ИНДИЯ
B81123C1332M
B81123C1332M		EPCOS
B81123C1332M		TDK-EPC
B81123C1332M		TDK EPCOS	112	48.56
BSP129L6327				58.68
BSP129L6327		INFINEON
BSP135L6327		INFINEON
BSP135L6327		INFINEON
BSP135L6327
BSP149L6327	N канальный транзистор 200В, 140мА, 1.8Вт	INFINEON
BSP149L6327	N канальный транзистор 200В, 140мА, 1.8Вт			140.00
BSP149L6327	N канальный транзистор 200В, 140мА, 1.8Вт	INFINEON	52