BSP149

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSP149		62.48

Версия для печати

Технические характеристики BSP149

Корпус	PG-SOT223-4
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	1.8W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	430pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 400µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	660mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 660mA, 10v
FET Feature	Depletion Mode
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSP149

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BSP149 datasheet
330.92Kb
7стр.