|   | 
 | 
 Версия для печати
Версия для печати
                        
                        
                    
                                | Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 110mA | 
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V | 
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 100mA, 10V | 
| FET Feature | Logic Level Gate | 
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 
| Серия | SIPMOS® | 
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant | 
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 56µA | 
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.1nC @ 10V | 
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 77pF @ 25V | 
| Power - Max | 360mW | 
| Тип монтажа | Поверхностный | 
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 
| Корпус | PG-SOT23-3 | 
| BSS131 SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) 
                                        Производитель: 
 | 
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КП509А9 |   | 28.80 | ||||||
| КП509А9 | МИНСК |   |   | |||||
| КП509А9 | ИНТЕГРАЛ |   |   | |||||
| КП509В9 |   |   | ||||||
| КП509В9 | МИНСК |   |   | |||||
| КП509В9 | ИНТЕГРАЛ |   |   | 
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PRAB30S |   | 118.00 | ||||||
| PRAB30S | ПРОТОН | 7 419 | 220.50 | |||||
| PRAB30S | РАДИОДЕТ | 64 | 178.17 |