| Мощность рассеяния,Вт | 0.15 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 6.3 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 6.8 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 7.3 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 35 |
| при токе I ст,мА | 5 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.05 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 3 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 20 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd 2 |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
70TPS12 |
|
Тиристор 70А 1200В TO247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
70TPS12 |
|
Тиристор 70А 1200В TO247AC
|
|
2
|
756.00
|
|
|
|
70TPS12 |
|
Тиристор 70А 1200В TO247AC
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
|
1 788
|
1.11
>500 шт. 0.37
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
16 000
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
28 085
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
WUXI XUYANG
|
6 299
|
1.54
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SEMTECH
|
78
|
2.03
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
HOTTECH
|
4
|
1.73
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
1
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PLINGSEMIC
|
28 776
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
|
RC1206FR-073K01L |
|
|
YAGEO
|
104 424
|
0.85
>1000 шт. 0.17
|
|
|
|
|
RC1206FR-073K01L |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
RC1206FR-073K01L |
|
|
|
232
|
|
|
|
|
SWT-20-9.5 (DTS-65N) |
|
Коммутируемый ток / напряжение 50 мА / 12В Количество переключений 1000000 Рабочий ...
|
DPT
|
|
|
|
|
|
SWT-20-9.5 (DTS-65N) |
|
Коммутируемый ток / напряжение 50 мА / 12В Количество переключений 1000000 Рабочий ...
|
|
|
9.80
|
|
|
|
SWT-20-9.5 (DTS-65N) |
|
Коммутируемый ток / напряжение 50 мА / 12В Количество переключений 1000000 Рабочий ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
Д818А |
|
стекло "5"
|
|
3 207
|
7.81
|
|
|
|
Д818А |
|
стекло "5"
|
НЗПП
|
2 880
|
155.20
|
|
|
|
Д818А |
|
стекло "5"
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
Д818А |
|
стекло "5"
|
НОВОСИБИРСК
|
24 756
|
5.58
|
|
|
|
Д818А |
|
стекло "5"
|
МОСКВА
|
|
|
|
|
|
Д818А |
|
стекло "5"
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д818А |
|
стекло "5"
|
18
|
|
|
|