| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DS90LV804TSQ/NOPB |
|
|
National Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=5.0A, Vin-out(max)=25V, Udrop=1.3V@5A, -40 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=5.0A, Vin-out(max)=25V, Udrop=1.3V@5A, -40 to +125C)
|
|
|
200.20
|
|
|
|
|
LM1084IT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=5.0A, Vin-out(max)=25V, Udrop=1.3V@5A, -40 to +125C)
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=5.0A, Vin-out(max)=25V, Udrop=1.3V@5A, -40 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=5.0A, Vin-out(max)=25V, Udrop=1.3V@5A, -40 to +125C)
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=5.0A, Vin-out(max)=25V, Udrop=1.3V@5A, -40 to +125C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=5.0A, Vin-out(max)=25V, Udrop=1.3V@5A, -40 to +125C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=5.0A, Vin-out(max)=25V, Udrop=1.3V@5A, -40 to +125C)
|
HGSEMI
|
700
|
12.53
|
|
|
|
|
LM1084IT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=5.0A, Vin-out(max)=25V, Udrop=1.3V@5A, -40 to +125C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
633
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
|
941
|
5.58
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
13.27
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
6 560
|
5.37
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
БРЯНСК
|
635
|
7.16
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
МИНСК
|
1 106
|
7.16
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
ДАЛЕКС
|
560
|
14.46
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
1000
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
173
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
210
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
271
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
543
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
7800
|
|
|
|
|
|
|
СВЕРЛО 0.8 ММ |
|
|
|
|
45.20
|
|
|
|
|
СВЕРЛО 1.0 ММ |
|
|
|
|
45.20
|
|