|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
16K1 KC 10K |
|
|
|
22 699
|
15.94
|
|
|
|
16K1 KC 10K |
|
|
RUICHI
|
417
|
26.57
|
|
|
|
16K1 KC 10K |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551G |
|
|
|
|
9.20
|
|
|
|
2N5551G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5551G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102LF |
|
Резистор подстроечный металлокерамика, 25об., выводной, для печатного монтажа, 0.5Вт, ...
|
BOURNS
|
10 315
|
61.35
|
|
|
|
3296W-1-102LF |
|
Резистор подстроечный металлокерамика, 25об., выводной, для печатного монтажа, 0.5Вт, ...
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102LF |
|
Резистор подстроечный металлокерамика, 25об., выводной, для печатного монтажа, 0.5Вт, ...
|
|
|
180.40
|
|
|
|
3296W-1-102LF |
|
Резистор подстроечный металлокерамика, 25об., выводной, для печатного монтажа, 0.5Вт, ...
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102LF |
|
Резистор подстроечный металлокерамика, 25об., выводной, для печатного монтажа, 0.5Вт, ...
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102LF |
|
Резистор подстроечный металлокерамика, 25об., выводной, для печатного монтажа, 0.5Вт, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
BOURNS
|
5 144
|
73.18
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
|
|
520.00
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
BOURNS SENSORS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
18
|
16.23
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
10 592
|
21.34
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
900
|
10.07
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
13 568
|
8.02
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
NXP
|
560
|
3.38
|
|