| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3296W-1-154 |
|
Подстроечный резистор 150K
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-154 |
|
Подстроечный резистор 150K
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-681 |
|
Подстроечный резистор 680R
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-681 |
|
Подстроечный резистор 680R
|
|
|
40.80
|
|
|
|
|
3296W-1-681 |
|
Подстроечный резистор 680R
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-681 |
|
Подстроечный резистор 680R
|
BAOTER
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-681 |
|
Подстроечный резистор 680R
|
BOCHEN
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
|
1
|
120.96
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
FAIRCHILD
|
28
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
США
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
ONS
|
71
|
41.33
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FSDH321 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.7A, 100kHz, Pout<17W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
|
|
552.00
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
SWT-20-4.3 |
|
Коммутируемый ток / напряжение 50 мА / 12В Количество переключений 1000000 Рабочий ...
|
JIA
|
|
|
|
|
|
SWT-20-4.3 |
|
Коммутируемый ток / напряжение 50 мА / 12В Количество переключений 1000000 Рабочий ...
|
|
|
4.80
|
|
|
|
SWT-20-4.3 |
|
Коммутируемый ток / напряжение 50 мА / 12В Количество переключений 1000000 Рабочий ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|