| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
|
|
8.28
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
41
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KEENSIDE
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KEEN SIDE
|
11 200
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
|
27 735
|
2.94
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PHILIPS
|
5 873
|
1.79
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NXP
|
2 364
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PANJIT
|
12 572
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PHILIPS
|
2 669
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
БРЕСТ
|
80 343
|
2.60
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
110000
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
1700
|
|
|
|
|
|
BAV21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, If=0.25A, Ifsm=1A@t=1s)
|
5642
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
3 200
|
1.43
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
47 444
|
3.06
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
444
|
2.93
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
2 181
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
21 604
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
810 260
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DCCOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
77 622
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
740
|
1.03
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
127 200
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEFAN
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SLKOR
|
160 977
|
1.22
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NEXPERIA
|
22 518
|
1.33
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PLINGSEMIC
|
81 532
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEEN SIDE
|
138
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
253
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
RUME
|
148 800
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
PHILIPS
|
201
|
125.30
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
|
11
|
186.00
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
SAN
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
1
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
PHIIPS
|
40
|
125.30
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
181
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
50
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
71
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
|
944
|
9.30
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
SGS
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
HTC
|
18 704
|
5.37
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
204
|
|
|