RS1M

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
RS1M	92 413	1.52 >100 шт. 0.76
RS1M (DC COMPONENTS)	164	1.46
RS1M (YOUTAI)	59 270	2.02
RS1M (YJ)	46 088	2.09
RS1M (KINGTRONICS)	76	1.86
RS1M (HOTTECH)	104 269	1.39
RS1M (YANGJIE)	16 000	1.17
RS1M (TRR)	40 000	1.41 >500 шт. 0.47
RS1M (XXW)	116 800	1.14 >100 шт. 0.57

Версия для печати

Технические характеристики RS1M

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.3V @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V (1kV)
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 1000V
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	500ns
Capacitance @ Vr, F	10pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	SMA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ON SEMICONDUCTOR
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ONS	735	2.52
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 070
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ON SEMIC
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ON SEMICONDUCTO
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ONSEMICONDUCTOR
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	LRC
MC14014BCP		MOTOROLA
MC14014BCP		ON SEMICONDUCTOR
MC14014BCP		MOTOROLA
MC14014BCP			2 460	52.08
MC14014BCP		4-7 НЕДЕЛЬ	523
MI1206K601R-10		STEWARD
MI1206K601R-10		Laird-Signal Integrity Products
MI1206K601R-10		STEWARD
MI1206K601R-10
MI1206K601R-10		LAIRD
MI1206K601R-10		LAIRD TECHNOLOGIES	239	7.50
MMB02070C6803FB200		VISHAY
MMB02070C6803FB200
RZ03-1A4-D005		TE Connectivity
RZ03-1A4-D005