Версия для печати
Технические характеристики REF192GP

Корпус	8-PDIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Ток выходной	30mA
Ток в рабочей точке(ВАХ)	15µA
Количество каналов	1
Напряжение входное	2.6 V ~ 15 V
Температурный коэфициент	25ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±10mV
Напряжение выходное	2.5V
Reference Type	Series, Precision
Серия	REF19
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

REF192 (Источники опорного напряжения) Precision Micropower, Low Dropout, Voltage References Также в этом файле: REF192GP Производитель: Analog Devices //www.analog.com REF192GP datasheet 235.83Kb 23стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Опорные источники

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FMMT458TA			ZETEX
		FMMT458TA			ZTX
		FMMT458TA			ZETEX
		FMMT458TA			Diodes/Zetex
		FMMT458TA					20.00
		FMMT458TA			DIODES	52	67.53
		FMMT458TA			DIODES INC.	529
		FMMT458TA			DIODES INC
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	DC COMPONENTS	111	92.02
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MCC
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WTE
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V		3	218.30
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	QUAN-HONG
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	КИТАЙ
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MIC
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YJ	14 286	60.80
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KINGTRONICS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY ME
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WUXI XUYANG	1 258	61.10
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE	11 120	68.88
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE (YJ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KLS	3 680	87.82
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	SEP
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	HOTTECH
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGZHOU YANGJIE
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	RUICHI
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	MASTER INSTRUMENT CO
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	DC COMPONENTS	4 258	21.34
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	MCC
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка		5 824	11.57
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	GALAXY
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	MIC	606	21.46
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	КИТАЙ
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	YJ
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	GALAXY ME
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	KLS
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	WUXI XUYANG
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	HOTTECH	1 019	13.05
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	SEP	528	15.76
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	YANGJIE	35 840	26.86
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	RUME
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	BO	1 200	11.09
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	TRR	7 600	10.08
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	KEEN SIDE	5 190	9.15
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	86
		КР1878ВЕ1					365.40
		КР1878ВЕ1			АНГСТРЕМ
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,		700	101.20
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	КРЕМНИЙ	400	85.89
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	БРЯНСК	744	95.40
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	МИНСК
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	УЛЬЯНОВСК
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	RUS
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	ИНТЕГРАЛ
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	1956
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	80

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"