Версия для печати
Технические характеристики IRFZ48V

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 43A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	72A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1985pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFZ48V (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel Производитель: International Rectifier (IRF) IRFZ48V datasheet 188.2 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ECAP 2200/16V 1220 105C RD		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 16 В, 105°C	SAMWHA
		HEF4051BT		Стандартная логика SINGLE 8-CHAN.ANALOG MULTI-DEMULTIPLEXER -40/+85 C	PHILIPS
		HEF4051BT		Стандартная логика SINGLE 8-CHAN.ANALOG MULTI-DEMULTIPLEXER -40/+85 C	NXP	32 000	12.18
		HEF4051BT		Стандартная логика SINGLE 8-CHAN.ANALOG MULTI-DEMULTIPLEXER -40/+85 C		2 395	31.45
		HEF4051BT		Стандартная логика SINGLE 8-CHAN.ANALOG MULTI-DEMULTIPLEXER -40/+85 C	PHILIPS	8
		HEF4051BT		Стандартная логика SINGLE 8-CHAN.ANALOG MULTI-DEMULTIPLEXER -40/+85 C	NXP	1 477
		HEF4051BT		Стандартная логика SINGLE 8-CHAN.ANALOG MULTI-DEMULTIPLEXER -40/+85 C	NEX-NXP	7 268	16.10
		HEF4051BT		Стандартная логика SINGLE 8-CHAN.ANALOG MULTI-DEMULTIPLEXER -40/+85 C	4-7 НЕДЕЛЬ	379
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	80	32.01
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	842	27.33
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	17 115	4.96
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	777
		SH016M0680B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 680мкФ, 16 В	YAGEO	6	13.51
		SH016M0680B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 680мкФ, 16 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH016M0680B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 680мкФ, 16 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	YAGEO
		SH016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"