IRFPC50


Транзистор полевой N-MOS 600V, 11A, 180W

Купить IRFPC50 по цене 812.70 руб.  (без НДС 20%)
IRFPC50
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRFPC50 1 812.70 

Версия для печати

Технические характеристики IRFPC50

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs600 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C11A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs140nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2700pF @ 25V
Power - Max180W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247-3
КорпусTO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFPC50 (N-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet (vdss=600v, Rds (on) =0.60ohm, Id=11a)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFPC50 datasheet
167.72Kb
6стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BU808DFI Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BU808DFI Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BU808DFI Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W     Заказ радиодеталей 212.28 
BU808DFI Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W   - Заказ радиодеталей цена радиодетали
BU808DFI Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
BU808DFI Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA4780     NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA4780     PHILIPS 4 434.70 
TDA4780       1 178.92 
TDA4780     КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA4780     1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA4780     4-7 НЕДЕЛЬ 620 цена радиодетали
    К31-11-3Г 4700, 500В, 5%       2 009 10.50 
КТ816Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный     2 056 33.30 
КТ816Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   КРЕМНИЙ 800 24.57 
КТ816Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   БРЯНСК 1 752 37.80 
КТ816Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   ТРАНЗИСТОР Заказ радиодеталей цена радиодетали
    МЛТ - 0.125 ВТ 10 ОМ 5%       160 1.09 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход