Версия для печати
Технические характеристики BT136-800E

Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)	1.5V
Current - On State (It (RMS)) (Max)	4A
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	25A, 27A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)	10mA
Voltage - Off State	800V
Current - Hold (Ih) (Max)	15mA
Конфигурация	Single
Тип монтажа	Выводной
Triac Type	Logic - Sensitive Gate
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	TO-220AB
Корпус (размер)	TO-220-3

BT136 (Симистор (TRIAC)) Triacs Sensitive Gate Также в этом файле: BT136-800E, BT136-800E Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BT136-800E datasheet 40.91Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Тиристоры

 » 

Симметричный триодный тиристор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ACS108-6SN-TR			ST MICROELECTRONICS
		ACS108-6SN-TR					440.00
		ACS108-6SN-TR			ST MICROELECTRONICS SEMI
		ACS108-6SN-TR			STMicroelectronics
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления			4.92
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	5 190	2.25
		BT138-800E		Симистор	NXP
		BT138-800E		Симистор		192	10.71
		BT138-800E		Симистор	ФИЛИППИНЫ
		BT138-800E		Симистор	NXP
		BT138-800E		Симистор	PHILIPS	532	75.60
		BT138-800E		Симистор	NXP/NEXPERIA	9	41.64
		BT138-800E		Симистор	WEEN
		BT138-800E		Симистор	NEX-NXP	2	79.59
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	VISHAY	735	40.29
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	LIT	1 304	12.56
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%			31.48
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	LITE ON OPTOELECTRONICS
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	27
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	INFINEON
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	EVERLIGHT	2 591	16.80
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	FAIRCHILD	800	26.46
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	LITE-ON
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN		1 512	27.60
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	КРЕМНИЙ	1 272	26.46
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	ТРАНЗИСТОР
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	БРЯНСК	16 603	31.50
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	МИНСК
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	УЛЬЯНОВСК
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	RUS
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	ИНТЕГРАЛ
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	КРЕМН
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	КРЕМНИЙ ЭЛ	192	23.55

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"