LMV358IDR
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 2.7 V ~ 5.5 V, ±1.35 V ~ 2.75 V |
| Ток выходной / канал | 160mA |
| Ток выходной | 210µA |
| Напряжение входного смещения | 1700µV |
| Ток - входного смещения | 15nA |
| Полоса пропускания | 1MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 1 V/µs |
| Тип выхода | Rail-to-Rail |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | Rail-to-Rail |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC4672T100Q |
|
Rohm Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
2SC4672T100Q |
|
ROHM |
|
|
||
|
|
|
2SC4672T100Q |
|
|
|
|||
| GSOT03C-E3-08 | VISHAY | 2 400 | 2.77 | |||||
| GSOT03C-E3-08 |
|
|
||||||
| LMV358DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LMV358DR2G | ONS |
|
|
|||||
| LMV358DR2G |
|
|
||||||
| LMV358DR2G | ON SEMICONDUCTOR | 76 |
|
|||||
| LMV358DR2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 729 |
|
|||||
| MBI5029GD | MBI |
|
|
|||||
| MBI5029GD |
|
190.68 | ||||||
| MBI5029GD | ТАИЛАНД |
|
|
|||||
| MBI5029GD | 4-7 НЕДЕЛЬ | 380 |
|
|||||
| X0202MN 5BA4 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| X0202MN 5BA4 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| X0202MN 5BA4 |
|
|
