Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | AVR® ATtiny |
Процессор | AVR |
Размер ядра | 8-Bit |
Скорость | 20MHz |
Подключения | USI |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, Temp Sensor, WDT |
Число вводов/выводов | 16 |
Размер программируемой памяти | 2KB (1K x 16) |
Тип программируемой памяти | FLASH |
EEPROM Size | 128 x 8 |
Размер памяти | 128 x 8 |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 5.5 V |
Преобразователи данных | A/D 11x10b |
Тип осцилятора | Internal |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Корпус (размер) | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
79L05 |
|
Стабилизатор напряжения линейный, -5V 0.1A 4% -40..+70C
|
UTC
|
|
|
|
|
|
79L05 |
|
Стабилизатор напряжения линейный, -5V 0.1A 4% -40..+70C
|
|
7 872
|
4.75
|
|
|
|
79L05 |
|
Стабилизатор напряжения линейный, -5V 0.1A 4% -40..+70C
|
ЭЛЕКС
|
800
|
11.34
|
|
|
|
79L05 |
|
Стабилизатор напряжения линейный, -5V 0.1A 4% -40..+70C
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
79L05 |
|
Стабилизатор напряжения линейный, -5V 0.1A 4% -40..+70C
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
79L05 |
|
Стабилизатор напряжения линейный, -5V 0.1A 4% -40..+70C
|
МИНСК
|
9 841
|
4.20
|
|
|
|
79L05 |
|
Стабилизатор напряжения линейный, -5V 0.1A 4% -40..+70C
|
Б/УП
|
|
|
|
|
|
79L05 |
|
Стабилизатор напряжения линейный, -5V 0.1A 4% -40..+70C
|
HOTTECH
|
2 885
|
7.70
|
|
|
|
79L05 |
|
Стабилизатор напряжения линейный, -5V 0.1A 4% -40..+70C
|
WS
|
|
|
|
|
|
79L05 |
|
Стабилизатор напряжения линейный, -5V 0.1A 4% -40..+70C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
238
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
364 366
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
127 429
|
2.02
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 474
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
767 576
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
356 828
|
1.14
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.25
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 538
|
1.55
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.11
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 641 724
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
265 825
|
1.08
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
826 704
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
22 944
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
К176ИЕ12 |
|
Двоичный счетчик на 60 и 15-разрядный делитель частоты. 50 нс, потребление 0,4 ...
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
К176ИЕ12 |
|
Двоичный счетчик на 60 и 15-разрядный делитель частоты. 50 нс, потребление 0,4 ...
|
|
120
|
56.70
|
|
|
|
К176ИЕ12 |
|
Двоичный счетчик на 60 и 15-разрядный делитель частоты. 50 нс, потребление 0,4 ...
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К176ИЕ12 |
|
Двоичный счетчик на 60 и 15-разрядный делитель частоты. 50 нс, потребление 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К176ИЕ12 |
|
Двоичный счетчик на 60 и 15-разрядный делитель частоты. 50 нс, потребление 0,4 ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К176ИЕ12 |
|
Двоичный счетчик на 60 и 15-разрядный делитель частоты. 50 нс, потребление 0,4 ...
|
СПЛАВ
|
648
|
94.02
|
|
|
|
К176ИЕ4 |
|
Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.
|
|
|
17.20
|
|
|
|
К176ИЕ4 |
|
Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.
|
ХАБАРОВСК
|
417
|
21.00
|
|
|
|
К176ИЕ4 |
|
Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
К176ИЕ4 |
|
Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К176ИЕ4 |
|
Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К176ИЕ4 |
|
Cчетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода информации на семисегментный индикатор.
|
СПЛАВ
|
576
|
70.26
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
|
6 864
|
7.36
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ДНЕПР
|
11 773
|
10.50
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХАБАРОВСК
|
890
|
10.50
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХЕРСОН
|
|
|
|