Версия для печати
Технические характеристики IRF7204

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 5.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	860pF @ 10V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

IRF7204 (P-канальные транзисторные модули) Power MOSFET Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF7204 datasheet 146.87Kb 9стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4729A3.6V			DC COMPONENTS
		78L05 (LM78L05)		Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	HTC
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	MASTER INSTRUMENT CO
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	DC COMPONENTS	9 369	29.99
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	MCC
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка		5 760	12.36
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	GALAXY
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	MIC
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	КИТАЙ
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	YJ
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	GALAXY ME
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	KLS
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	WUXI XUYANG
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	HOTTECH	4 803	15.62
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	SEP	51	22.57
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	YANGJIE	35 840	24.53
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	RUME
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	BO	1 200	12.17
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	TRR	7 200	11.29
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	KEEN SIDE	1 478	10.27
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	86
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	ASEMI	2 332	16.95
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ		1 082	11.34
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	БРЕСТ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	П/П 1
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСК
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	RUS
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	СЗТП	880	24.99
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН	84	9.70
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	РОССИЯ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	1
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		6 788	55.16
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	18 176	44.64
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 360	123.98
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	12231
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	13221

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"