IRF740AS

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF740AS	1 024	52.54
IRF740AS (VBSEMI)	646	102.14

Версия для печати

Технические характеристики IRF740AS

Корпус	D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 6A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	3.1W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1030pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF740AS (Дискретные сигналы)

400V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package

Также в этом файле: IRF740ASTRR

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF740AS datasheet
135.9Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRFUC20	Транзистор полевой N-канальный 600В 2А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFUC20	Транзистор полевой N-канальный 600В 2А	VISHAY
IRFUC20	Транзистор полевой N-канальный 600В 2А			208.52
IRFUC20	Транзистор полевой N-канальный 600В 2А	INTERNATIONAL RECTIFIER	27
IRFUC20	Транзистор полевой N-канальный 600В 2А	Vishay/Siliconix
IRFUC20	Транзистор полевой N-канальный 600В 2А	КИТАЙ
LQG18HN22NJ00D		MUR	28 135	3.16
LQG18HN22NJ00D			80
LQG18HN22NJ00D		MURATA
LQW18AN27NG00D		MURATA	3 400	12.64
LQW18AN27NG00D		MUR	93 728	1.89
LQW18AN27NG00D
LQW18AN27NG00D		MURATA
LQW18AN2N2D00D		Murata Electronics North America
LQW18AN2N2D00D		MUR	2 691	2.17
LQW18AN2N2D00D
LQW18AN2N2D00D		MURATA	5 697	2.97
LQW18AN6N2C00D		MURATA	2 000	8.94
LQW18AN6N2C00D		MUR	2 964	2.04
LQW18AN6N2C00D