SQP500JB-39R

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SQP500JB-39R (YAGEO)	3 565	8.34

Версия для печати

Технические характеристики SQP500JB-39R

Производитель	Yageo Corporation
Номинальное сопротивление	39 Ом
Допуск сопротивления	±5%
Номинальная мощность	5 Вт
Тип монтажа	Axial
Температурный коэффициент сопротивления	±300ppm/K
Размер корпуса	9.5x9.0x22.0 мм
Рабочая температура	-55...155 °C
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SQP
Сопротивление (Ом)	39
Мощность (Ватт)	5W
Composition	Wirewound
Температурный коэфициент	±300ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
Size / Dimension	0.866" L x 0.374" W (22.00mm x 9.50mm)
Высота	0.354" (9.00mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	Axial

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIR
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FSC
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В			592.00
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	Fairchild Semiconductor
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	США
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS-FAIR
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	ON SEMICONDUCTOR
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS
ГТ310Б				20.00
ГТ310Б		КВАЗАР
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		227	8.10
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	5 723	14.88
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	2 400	49.59
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000
КТ645А			553	3.13
КТ645А		КРЕМНИЙ
КТ645А		МИНСК	1 276	7.44
КТ645А		RUS
КТ645А		ИНТЕГРАЛ	800	12.49
КТ645А		ТРАНЗИСТОР	1 200	17.56
КТ645А		АЛЕКСАНДРОВ
КТ645А		1600
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс		250	101.20
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СТАРТ
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СССР ЭКСПОРТ
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СТАРТМОСКВА
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	RUS
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	ТАРТ
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СЗТП	4	118.68
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	П/П 2
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	РОССИЯ
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	САРАНСК
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	2

SQP500JB-39R

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Резисторы

Для навесного монтажа

С этим товаром покупают: