DIP16

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
555ЛП5			80	53.09
555ЛП5		АЗОН
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.			16.60
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MUR
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	Murata Electronics North America
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTON
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм			6.00
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTRON
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	HSUAN MAO
MAX232CPE	RS-232 два пpиемника и два пеpедатчика (2Dx/2Rx)RS-232	MAXIM	52	102.28
MAX232CPE	RS-232 два пpиемника и два пеpедатчика (2Dx/2Rx)RS-232	MAXIM/DALLAS
MAX232CPE	RS-232 два пpиемника и два пеpедатчика (2Dx/2Rx)RS-232		3	340.20
MAX232CPE	RS-232 два пpиемника и два пеpедатчика (2Dx/2Rx)RS-232	MAX
MAX232CPE	RS-232 два пpиемника и два пеpедатчика (2Dx/2Rx)RS-232	MAXIM
MAX232CPE	RS-232 два пpиемника и два пеpедатчика (2Dx/2Rx)RS-232	4-7 НЕДЕЛЬ	615
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		208	29.44
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	400	32.79
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	4 014	38.16
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1150
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3240