DIP16

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.			16.60
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MUR
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	Murata Electronics North America
DIP28-W	Панель DIP-28W с плоскими контактами, шаг 2,54 мм.			10.00
DIP28-W	Панель DIP-28W с плоскими контактами, шаг 2,54 мм.	HSUAN MAO
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTON
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм			6.00
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTRON
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	HSUAN MAO
КТ812А			18	194.25
КТ812А		УЛЬЯНОВСК
КТ812А		ФРЯЗИНО
КТ812А		ИСКРА
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		131	29.44
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	1 200	33.57
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 818	38.16
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1150
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3240