RX27-1 0.36 ОМ 5W 5% / SQP5

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
RX27-1 0.36 ОМ 5W 5% / SQP5	568	7.04

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF3710PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3710PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3710PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A	INFINEON
IRF3710PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A		560	27.83
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	4	22.48
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		796	82.80
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	3 743	29.86
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	5
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	4 581	1.79
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONS	1 680	8.27
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)		3	7.20
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 003
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	GALAXY
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	0.00
TR99-24VDC-SB-CD	Реле 24В/5A, 28VDC	TTI
TR99-24VDC-SB-CD	Реле 24В/5A, 28VDC			140.00
TR99-24VDC-SB-CD	Реле 24В/5A, 28VDC	TS
TR99-24VDC-SB-CD	Реле 24В/5A, 28VDC	TAI SHING
TR99-24VDC-SB-CD	Реле 24В/5A, 28VDC	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
TR99-24VDC-SB-CD	Реле 24В/5A, 28VDC	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
РЭС42 РС4.569.152	реле герконевые РЭС42; РЭС42 РС4.569.152
РЭС42 РС4.569.152	реле герконевые РЭС42; РЭС42 РС4.569.152	RUS
РЭС42 РС4.569.152	реле герконевые РЭС42; РЭС42 РС4.569.152	ЮНОСТЬ	27	206.64