| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
SK050M0100B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 50В, +-20%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SK050M0100B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 50В, +-20%
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SK050M0100B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 50В, +-20%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SK050M0100B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 50В, +-20%
|
|
|
|
|
|
|
|
SK050M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SK050M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SK050M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SK050M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SK050M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
|
SN050M0010BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SN050M0010BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SN050M0010BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
 |
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
|
8 797
|
13.02
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ДНЕПР
|
6 711
|
9.30
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
11899
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
1717
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
|
11 796
|
27.60
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
КРЕМНИЙ
|
4 320
|
54.76
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
БРЯНСК
|
12 883
|
33.48
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
МИНСК
|
7 960
|
33.48
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
1000
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
10000
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
11366
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
27
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
4794
|
|
|
|
Версия для печати
