Версия для печати
Технические характеристики Д818Б

Мощность рассеяния,Вт	0.3
Минимальное напряжение стабилизации,В	7.2
Номинальное напряжение стабилизации,В	8.3
Максимальное напряжение стабилизации,В	9
Статическое сопротивление Rст.,Ом	25
при токе I ст,мА	10
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.023
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	0.14
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	3
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	33
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd 2
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КД105Б		Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА		18 270	3.70
		КД105Б		Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	ТОМИЛИНО
		КД105Б		Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	RUS
		КД105Б		Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	СЗТП
		КД105Б		Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	РОССИЯ
		КН104А					115.20
		КН104А			RUS
		КН104А			СТАРТ	800	13.23
		КТ809А		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ...		12 523	286.75
		КТ809А		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ...	УЛЬЯНОВСК
		КТ809А		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ...	ФРЯЗИНО
		КТ809А		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ...	ИСКРА
		КТ809А		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ...	КРЕМНИЙ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		572	32.02
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	52	24.57
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 152	39.90
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 399	16.80
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	3940	18	204 134.12
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	4249	8	201 009.11
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		6 824	41.40
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	20 361	48.30
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 920	123.98
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	12231	24	204 134.12
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	13221	22	204 033.31

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"