Версия для печати
Технические характеристики Д818Б

Мощность рассеяния,Вт	0.3
Минимальное напряжение стабилизации,В	7.2
Номинальное напряжение стабилизации,В	8.3
Максимальное напряжение стабилизации,В	9
Статическое сопротивление Rст.,Ом	25
при токе I ст,мА	10
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.023
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	0.14
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	3
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	33
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd 2
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КД105Б		Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА		19 636	3.70
		КД105Б		Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	ТОМИЛИНО
		КД105Б		Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	RUS
		КД105Б		Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	СЗТП
		КД105Б		Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	РОССИЯ
		КН104А					115.20
		КН104А			RUS
		КН104А			СТАРТ	800	13.23
		КТ809А		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ...		12 652	286.75
		КТ809А		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ...	УЛЬЯНОВСК
		КТ809А		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ...	ФРЯЗИНО
		КТ809А		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ...	ИСКРА
		КТ809А		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ...	КРЕМНИЙ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		1 367	32.02
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	800	24.57
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 192	39.90
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 399	16.80
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		7 368	41.40
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР	32	58.08
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	21 714	48.30
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	2 000	123.98
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"